為什么晶體管中頻電源更加節(jié)能?洛陽(yáng)市華益電爐研究所從以下幾下方面來(lái)為您講述節(jié)能的主要原因：

　　逆變電壓高，電流小，線路損耗小，此部分可節(jié)能15%左右，節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓為2800V，而傳統(tǒng)可控硅中頻電源逆變電壓僅為750V，電流小了近4倍，線路損耗大大降低。

　　功率因數(shù)高，功率因數(shù)始終大于0.98，無(wú)功損耗小，此部分比可控硅中頻電源節(jié)能3%-5%。由于節(jié)能型IGBT晶體管電源采用了半可控整流方式，整流部分不調(diào)可控硅導(dǎo)通角，所以整個(gè)工作過(guò)程功率因數(shù)始終大于0.98，無(wú)功率損耗小。

　　爐品熱損失小，由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比同等功率可控硅電源一爐可快15分鐘左右，15分鐘的時(shí)間內(nèi)爐口損失的熱量可占整個(gè)過(guò)程的3%，所以此部分比可控硅中頻可節(jié)能3%左右。

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